2005
Etude des Transistors à Effet de Champ à base de Nitrures de GaN/AlGaN, Laboratoire d’Etude des Matériaux Optoélectroniques & Polymères (L.E.M.O.P), Université d’Oran Es-Senia, Oran,
Lieu de communication : Université d’Oran Es-Senia, Oran
Date debut de communication : 2005-12-13
Date fin de communication : 2005-12-14
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2007
High performance ZnO based Nanowire Field Effect Transistors, Université des Sciences et de la Technologie d'Oran-Mohammed Boudiaf.
Lieu de communication : Université des Sciences et de la Technologie d'Oran-Mohammed Boudiaf.
Date debut de communication : 2007-12-02
Date fin de communication : 2007-12-04
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2016
Study of the effect of the mole fraction of the ternary alloy AlxGa1-xN on the characteristics of Double Gate MOS-MODFET, Journées d’Etudes sur la Fonderie et l’Environnement, University of BADJI Mokhtar-Annaba
Lieu de communication : University of BADJI Mokhtar-Annaba
Date debut de communication : 2016-05-11
Date fin de communication : 2016-05-13
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2016
Numerical Analysis of I-V Characteristics of AlxGa1-xN/GaN Nanostructures HEMTs, The 9th International Conference on Electrical Engineering CEE and First Workshop on Robotics and Controls
Lieu de communication : University of Batna, Algeria
Date debut de communication : 2016-10-02
Date fin de communication : 2016-10-04
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2016
Simulation des Caractéristiques I-V des Transistors HEMTs à base de Nanostructures des Nitrures III-V, The International conference on mechanics and aeronautic CIMA'16, October 18-20, 2016, Blida Algeria.
Lieu de communication : Algiers, Algeria
Date debut de communication : 2016-10-18
Date fin de communication : 2016-10-20
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2005
’Etude des Transistors à Effet de Champ à base de nanostructures de nitrures III-N GaN/AlGaN, Member of organization Workshop on Nanosciences & Nanotechnologies, Nanotech’1, Organized by Laboratory of study of Optoelectronics & Polymers Materials (L.E.O.P.M),
Lieu de communication : University of Oran Es-Senia-Oran
Date debut de communication : 2005-12-13
Date fin de communication : 2005-12-14
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2016
Study of the effect of the mole fraction of the ternary alloy AlxGa1-xN on the characteristics of Double Gate MOS-MODFET, Journées d’Etudes sur la Fonderie et l’Environnement
Lieu de communication : University of BADJI Mokhtar-Annaba
Date debut de communication : 2016-05-10
Date fin de communication : 2016-05-12
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2015
Comparative Study and Modelization of Cubic AlGaN/GaN Nanostructures Field Effet Transistors MODFET and MOS-MODFET, Departament d Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Lieu de communication : Lloc: Sala 331 del DEEEA, Universitat:Universitat Rovira i Virgili, SPANYA
Date debut de communication : 2015-10-23
Date fin de communication : 0000-00-00
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